Политехнический терминологический толковый словарь. Составление: В. Бутаков, И. Фаградянц. 2014.
неосновные носители заряда полупроводника — неосновные носители Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике меньше, чем концентрация основных носителей заряда. [ГОСТ 22622 77] Тематики материалы полупроводниковые Синонимы неосновные носители … Справочник технического переводчика
Неосновные носители заряда полупроводника — 16. Неосновные носители заряда полупроводника Неосновные носители Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике меньше, чем концентрация основных носителей заряда Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
неосновные носители тока — неосновные носители заряда; отрасл. неосновные носители тока Подвижные носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике меньше, чем концентрация основных носителей заряда: электроны в полупроводнике р типа и дырки в полупроводнике п… … Политехнический терминологический толковый словарь
ОСНОВНЫЕ И НЕОСНОВНЫЕ НОСИТЕЛИ — заряда в полупроводниках, электроны проводимости в полупроводниках n типа и дырки в полупроводниках р типа. В невырожденном собственном ПП равновесные концентрации эл нов n и дырок р равны: n=р=ni??(NcNv)exp( ?g/2kT), где Nc и Nv эфф. плотности… … Физическая энциклопедия
НОСИТЕЛИ — (1) в химии вещества (макрокомпоненты), которые при хим. операциях, напр. осаждении, захватывают др. вещества (микрокомпоненты); используются для концентрирования следов элементов, выделения микроколичеств радиоактивных изотопов; (2) Н. заряда (Н … Большая политехническая энциклопедия
ИНЖEКЦИЯ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА — увеличение концентрации носителей заряда в полупроводнике (диэлектрике) в результате переноса носителей током из областей с повыш. концентрацией (металлич. контактов, гетеропереходов )под действием внеш. электрич. поля. И. н. з. приводит к… … Физическая энциклопедия
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Электронно-дырочный переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
